Le transistor BD139




Transistor BD139:  Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 250 hFE










Boitier du transistor BD139


Boîtier et brochage du transistor  BD 139

 
Boitier du transistor BD139














Le BD139 de STMicroelectronics est un transistor NPN basse tension complémentaire traversant dans un boîtier TO-126 (SOT-32). Il est fabriqué en technologie planaire épitaxiale Utilisé pour les amplificateurs et les Drivers audio, en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires.

Informations:
  • Tension Collecteur-Emetteur (VCE) de 80V
  • Courant collecteur (Ic) de 1.5A
  • Dissipation de puissance (Pd) de 12.5W
  • Tension de saturation Collecteur-Emetteur de 500 mV avec un courant de collecteur de 0.5A
  • Gain en courant DC (hFE) de 25 avec un courant de collecteur de 0.5A
  • Gamme de température de jonction de 150°C

Application: Gestion d'alimentation
Electronique Grand Public
Périphériques Portables
Industrie



Équivalences possibles pour le transistor BD139


Equivalence du BD139

Le BD139 datasheet





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