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Le transistor BD139

Transistor BD139: Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE (mini)
Le BD139 de STMicroelectronics est un transistor NPN basse tension complémentaire traversant dans un boîtier TO-126 (SOT-32). Il est fabriqué en technologie planaire épitaxiale Utilisé pour les amplificateurs et les Drivers audio, en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires. 
 
Informations: 

Tension Collecteur-Emetteur (VCE) de 80V 
Courant collecteur (Ic) de 1.5A 
Dissipation de puissance (Pd) de 12.5W 
Tension de saturation Collecteur-Emetteur de 500 mV avec un courant de collecteur de 0.5A 
Gain en courant DC (hFE) de 25 avec un courant de collecteur de 0.5A 
Gamme de température de jonction de 150°C 

Application:

Gestion d'alimentation 
Electronique Grand Public 
Périphériques Portables 
Industrie 
 
Le transistor BD139
Boititer transistor BD139

Équivalences possibles  pour le transistor BD 139

Datasheet transistor BD139
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