ELECTRONIQUE 3D - Le transistor 2N1711
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Le transistor 2N1711

2N1711 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, Hfe 100 (moyen)
- Le 2N1711 est un transistor silicium NPN pour les applications de commutation et d'amplification.  
 
- Tension collecteur-base 75V 
- Tension émetteur-base 7V 
- Courant collecteur continu 0.5A 

Informations produit: 

Type de transistor NPN (Silicium) 
Courant continu de Collecteur maximum 0,6 A 
Tension Collecteur Emetteur maximum 50 V 
Type de boîtier TO-39 
Dissipation de puissance maximum 0,8 W (Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD : 800mW Derate above 25°C : 4.6mW/°C Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD : 3W Derate above 25°C : 17.15mW/°C) 
Gain en courant DC minimum 20 
Tension Collecteur Base maximum 75 V 
Tension Emetteur Base maximum 7 V 
Tension de saturation Base Emetteur maximum 1,3 V 
Température de fonctionnement minimum -65 °C 
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1,5 V 
Température d'utilisation maximum +175 °C 

Application: 
 
Traitement du Signal; 
Gestion d'alimentation; 
Électronique Grand Public; 
Industrie
Transistor 2N2711

Équivalences possibles pour le transistor 2N1711

Equivalence transistor 2N1711
Transistor 2N1711 Datasheet
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