Le transistor 2N1711




2N1711  Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, 35 hFE








Les données sont à vérifier quand même...

Transistor 2N1711
  BoîtierTO-39


Brochage_Transistor 2N1711
Brochage du 2N1711

































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- Le 2N1711 est un transistor silicium NPN pour les applications de commutation et d'amplification.

- Tension collecteur-base 75V
- Tension émetteur-base 7V
- Courant collecteur continu 0.5A
Informations produit:
  • Type de transistor    NPN (Silicium)
  • Courant continu de Collecteur maximum    0,6 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    50 V
  • Type de boîtier    TO-39
  • Dissipation de puissance maximum    0,8 W (Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD : 800mW Derate above 25°C : 4.6mW/°C Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD : 3W Derate above 25°C : 17.15mW/°C)
  • Gain en courant DC minimum    20
  • Tension Collecteur Base maximum    75 V
  • Tension Emetteur Base maximum    7 V
  • Tension de saturation Base Emetteur maximum    1,3 V
  • Température de fonctionnement minimum    -65 °C
  • Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum    1,5 V
  • Température d'utilisation maximum    +175 °C

Application:

  • Traitement du Signal;
  • Gestion d'alimentation;
  • Électronique Grand Public;
  • Industrie

Équivalences possibles (à verifier) pour le transistor 2N1711

Equivalence du 2N1711



Le 2N1711 datasheet








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